Produits chimiques électroniques Acide phosphorique G4 (produit chimique humide pour semi-conducteurs)

Produits chimiques électroniques Acide phosphorique G4 (produit chimique humide pour semi-conducteurs)

Révision du document : 01
Date de publication : 2026-09-02
Norme applicable : qualité SEMI G4 (produit chimique humide de semi-conducteur de très grande pureté)

Identification du produit

 

Article

Spécification

Nom du produit

Acide phosphorique G4

Catégorie de produit

Produits chimiques humides électroniques à semi-conducteurs

Nom chimique

Acide phosphorique

Formule chimique

H₃PO₄

N° CAS

7664-38-2

Poids moléculaire

98.00

Numéro ONU

1805

Grade

SEMI G4 Ultra-Qualité électronique de haute pureté

 

Présentation du produit

 

L'acide phosphorique G4 est un acide inorganique faible d'ultra-haute-pureté, spécialement raffiné pour la fabrication avancée de plaquettes semi-conductrices et la fabrication de microélectronique. Produit par une purification en plusieurs étapes, une filtration ultra fine et des processus de remplissage scellés en salle blanche de classe 1000, le produit contient des traces d'ions métalliques, d'impuretés anioniques et de micro-particules extrêmement faibles, entièrement conformes aux normes internationales strictes en matière de semi-conducteurs SEMI G4.

 

Ce produit chimique possède d'excellentes performances de gravure sélective pour le nitrure de silicium, les films minces d'aluminium et les matériaux diélectriques spécifiques, avec un taux de gravure stable et une contrôlabilité supérieure du processus. Il provoque des dommages minimes aux substrats de silicium et aux couches d'oxyde, éliminant efficacement les contaminants résiduels de surface et répondant aux exigences de propreté ultra-élevées pour les processus avancés de plaquettes. Un contrôle strict des impuretés élimine les risques de micro-défauts, garantissant ainsi un rendement élevé et un fonctionnement stable pour la fabrication de semi-conducteurs de haute-précision.

 

Apparence:Liquide visqueux incolore, transparent, sirupeux, inodore

 

Spécifications techniques (norme SEMI G4)

 

Article de test

Spécification

Dosage H₃PO₄

84,0 ~ 86.0 % en poids

Apparence

Liquide visqueux transparent incolore et clair

Couleur (APHA)

Inférieur ou égal à 10

Densité à 20 degrés

1,68 ~ 1,71 g/cm³

Résidus d'évaporation

Inférieur ou égal à 30 ppb

Métaux traces individuels (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr)

Inférieur ou égal à 10 ppb chacun

Sulfate (SO₄²⁻)

Inférieur ou égal à 30 ppb

Chlorure (Cl⁻)

Inférieur ou égal à 30 ppb

Nitrate (NO₃⁻)

Inférieur ou égal à 30 ppb

Substances réductrices (sous forme de H₃PO₃)

Inférieur ou égal à 50 ppb

Particules supérieures ou égales à 0,2 μm

Inférieur ou égal à 100 pcs/mL

 

Note:Toutes les données de test sont basées sur un COA (Certificate of Analysis) spécifique au lot-.

 

Applications (procédé humide des semi-conducteurs)

 

Gravure sur film de nitrure de silicium et d'aluminium :Produit chimique de gravure humide de base pour les processus frontaux de semi-conducteurs-, utilisé pour la gravure de précision de films minces de Si₃N₄, de grilles métalliques en aluminium et de couches de tampons en aluminium. Il présente une excellente sélectivité de gravure, protégeant efficacement l'oxyde de silicium et le substrat de silicium tout en garantissant une morphologie de gravure uniforme et stable.

Nettoyage de précision de la surface des plaquettes :Élimine les micro-particules, les impuretés inorganiques résiduelles et les traces de contaminants de surface générés lors des processus de gravure et de dépôt. Les caractéristiques à faible -ions évitent la pollution secondaire, maintenant une propreté de surface ultra-élevée des plaquettes pour les processus avancés de lithographie et de dépôt.

Formulation de solution humide composée :Utilisé pour préparer des solutions mixtes de gravure et de nettoyage de haute-pureté pour les processus spéciaux de semi-conducteurs, répondant aux exigences de fabrication de micro-nano-fabrications de haute-précision des circuits intégrés.

Emballage MEMS et semi-conducteurs avancés :Appliqué pour la micro-gravure et le traitement de surface des appareils MEMS, des micro-capteurs et des structures avancées d'emballage de puces, garantissant une définition précise des motifs et des performances stables des appareils.

 

Norme d'emballage et de remplissage

 

Type d'emballage :Fût scellé en PEHD propre-résistant à la corrosion-, emballage dédié à l'acide phosphorique de haute-pureté

Spécification commune :Petit fût de 25 kg/30 kg, bac IBC résistant à la corrosion de 1 000 kg-

Environnement de remplissage :Salle blanche de classe 1 000, système de remplissage ultra-ultra pur entièrement fermé, contrôlant strictement l'introduction de particules et d'impuretés pour éviter toute contamination secondaire

Norme d'étanchéité :Structure scellée à haute-fuite-résistante, anti-pollution et anti-détérioration, garantissant une stabilité de pureté à long-terme

 

Stockage et durée de conservation

 

● Stocker dans un entrepôt chimique dédié, frais, sec et ventilé, hermétiquement fermé, à l'abri de la lumière directe du soleil, des températures élevées et des sources de chaleur.

● Isoler des substances alcalines, des oxydants puissants, des poudres métalliques et des matériaux corrosifs incompatibles pour éviter les réactions chimiques et la dégradation de la pureté.

● Évitez le placement ouvert à long terme et l'absorption d'humidité pour éviter l'enrichissement en impuretés et l'altération des performances.

● Durée de conservation :12 mois dans des conditions de stockage scellées standard

 

Précautions de manipulation et de sécurité

 

● L'acide phosphorique est modérément corrosif et hygroscopique. Les opérateurs doivent porter un EPI complet standard : des gants-résistants aux acides, des lunettes de sécurité contre les produits chimiques, un tablier résistant à la corrosion-et des vêtements de travail de protection.

● Toutes les opérations de dilution, de prélèvement et de manipulation doivent être effectuées sous sorbonne professionnelle pour éviter l'inhalation des brouillards et le contact direct avec la peau et les muqueuses.

● Pendant la dilution, ajoutez lentement de l'acide phosphorique dans l'eau déminéralisée ; n'ajoutez jamais d'eau dans l'acide phosphorique concentré pour éviter les éclaboussures et les blessures chimiques.

● En cas d'éclaboussures de liquide, de contact avec la peau ou de fuite, effectuez immédiatement un nettoyage d'urgence et une élimination conformément aux procédures opérationnelles standard.

● Reportez-vous au document FDS officiel pour obtenir des informations complètes sur les dangers, les réglementations de transport et les mesures de premiers secours détaillées.

 

Assurance qualité

 

Chaque lot d'acide phosphorique G4 est produit, purifié et inspecté en stricte conformité avec les normes internationales de l'industrie des semi-conducteurs SEMI G4. Chaque envoi est équipé d'un COA officiel-spécifique au lot. L'ensemble du processus de production et de remplissage adopte un contrôle strict de la contamination en salle blanche{{5}et une gestion de la pureté élevée-, garantissant des impuretés ultra-faibles, une cohérence de lot stable et une grande adaptabilité du processus, répondant pleinement aux exigences strictes des processus humides de la fabrication avancée de semi-conducteurs.

 

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