Produits chimiques électroniques G4 Acide chlorhydrique

Produits chimiques électroniques G4 Acide chlorhydrique

Révision du document : 01
Date de publication : 2026-09-02
Norme applicable : qualité SEMI G4 (produit chimique humide de très haute pureté pour semi-conducteurs)

Identification du produit

 

Article

Spécification

Nom du produit

Acide chlorhydrique G4

Catégorie de produit

Produits chimiques humides électroniques à semi-conducteurs

Nom chimique

Acide chlorhydrique

Formule chimique

HCl

N° CAS

7647-01-0

Poids moléculaire

36.46

Numéro ONU

1789

Grade

SEMI G4 Ultra-Qualité électronique de haute pureté

 

Présentation du produit

 

L'acide chlorhydrique G4 est un acide inorganique de haute-pureté spécialement purifié pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices et la fabrication de microélectronique avancée. Produit via des processus d'ultra-purification, de filtration à faible-contamination et de remplissage-de salle blanche, ce produit contient des ions métalliques à très faible-trace, des impuretés anioniques et des micro-particules, entièrement conformes aux spécifications industrielles SEMI G4.


Il s'agit d'un produit chimique humide essentiel pour les processus front-end-de semi-conducteurs, éliminant efficacement les contaminants métalliques, les résidus ioniques et les impuretés d'oxyde sur les surfaces des plaquettes. Un contrôle strict des impuretés élimine les risques de micro-contamination, garantissant ainsi un rendement élevé et des performances stables pour les processus avancés de fabrication de puces.


Apparence:Liquide incolore, transparent et clair avec une légère odeur piquante

 

Spécifications techniques (norme SEMI G4)

 

Article de test

Spécification

Dosage HCl

36,0 ~ 38,0 % en poids

Apparence

Liquide transparent incolore et clair

Couleur (APHA)

Inférieur ou égal à 10

Densité à 20 degrés

1,18 ~ 1,19 g/cm³

Résidus d'évaporation

Inférieur ou égal à 50 ppb

Métaux traces individuels (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr)

Inférieur ou égal à 10 ppb chacun

Sulfate (SO₄²⁻)

Inférieur ou égal à 50 ppb

Nitrate (NO₃⁻)

Inférieur ou égal à 50 ppb

Chlore libre (Cl₂)

Inférieur ou égal à 50 ppb

Phosphate (PO₄³⁻)

Inférieur ou égal à 30 ppb

Particules supérieures ou égales à 0,2 μm

Inférieur ou égal à 100 pcs/mL

 

Note:Toutes les données de test sont basées sur un COA (Certificate of Analysis) spécifique au lot-.

 

Applications (procédé humide des semi-conducteurs)

 

Nettoyage de la surface des plaquettes :Élimine les ions métalliques résiduels, les contaminants inorganiques et les couches d'oxyde de surface sur les tranches de silicium, améliore la propreté de la surface des tranches pour les processus de gravure et de dépôt ultérieurs.

Gravure humide des semi-conducteurs :Utilisé pour la microgravure de précision-de matériaux à base de silicium-et de substrats semi-conducteurs composés avec un taux de gravure stable et un effet de traitement uniforme.

Préparation de la solution de processus :Formulez des solutions mixtes de nettoyage et de gravure pour le processus de nettoyage RCA, répondant aux exigences avancées de fabrication des semi-conducteurs frontaux-.

Processus avancé d’emballage et MEMS :Traitement de surface et élimination des impuretés pour les dispositifs MEMS, le conditionnement de puces et le traitement de composants microélectroniques.

 

Norme d'emballage et de remplissage

 

Type d'emballage :Fût scellé en PEHD de qualité-propre/bac propre IBC

Spécification commune :Petit fût de 25 kg/30 kg, fourre-tout IBC de 1 000 kg

Environnement de remplissage :Salle blanche de classe 1000, zéro contamination secondaire, introduction de particules et d'impuretés strictement contrôlées

Norme d'étanchéité :Emballage scellé professionnel-résistant aux acides, anti-volatilisation et anti-fuite

 

Stockage et durée de conservation

 

● Stocker dans un entrepôt chimique frais, sec, ventilé et dédié, bien fermé, à l'abri de la lumière directe du soleil, des températures élevées et des sources de chaleur.

● Isoler des substances alcalines, des oxydants et des produits chimiques organiques pour éviter les réactions chimiques et la contamination.

● Évitez strictement le placement ouvert à long terme-pour éviter la détérioration volatile et l'absorption des impuretés.

● Durée de conservation : 12 mois dans des conditions de stockage scellées standard

 

Précautions de manipulation et de sécurité

 

● L'acide chlorhydrique est corrosif et volatil. Les opérateurs doivent porter un EPI complet : des gants-résistants aux acides, des lunettes de protection contre les produits chimiques, un tablier résistant à la corrosion-et des vêtements de protection.

● Opérer dans un environnement ventilé ; éviter l'inhalation de gaz volatils et le contact direct avec la peau et les yeux.

● Opération de dilution : ajoutez lentement de l'acide dans l'eau, n'ajoutez jamais d'eau dans de l'acide chlorhydrique concentré pour éviter les éclaboussures et les blessures.

● En cas de contact ou de fuite, suivez les directives d'urgence de la FDS pour un nettoyage et une élimination en temps opportun.

● Pour connaître la classification complète des dangers, les règles de transport et les-mesures de premiers secours, reportez-vous au document FDS officiel.

 

Assurance qualité

 

Chaque lot d'acide chlorhydrique G4 est produit et inspecté conformément aux normes internationales SEMI G4. Chaque expédition est accompagnée d'un COA de lot officiel. Tous les processus de production, de purification et de remplissage adoptent un contrôle strict de la contamination en salle blanche-pour garantir une qualité de produit stable et constante pour les applications-de fabrication de semi-conducteurs haut de gamme.

 

Acide chlorhydrique Spécification

 

Nom du produit

Grade

Masse moléculaire relative

Formule moléculaire

Acide chlorhydrique

Produits chimiques électroniques G4

36.46

HCl

 

Inspecter les éléments

Caractéristiques

Inspecter les éléments

Caractéristiques

Apparence

Solution aqueuse transparente et incolore de chlorure d'hydrogène

Nickel (Ni), ppt

Inférieur ou égal à 100

Dosage (HCl), %

36.0~38.0

Cuivrique (Cu), ppt

Inférieur ou égal à 100

Chromaticité, unités Hazen

Inférieur ou égal à 10

Zinc (Zn), ppt

Inférieur ou égal à 100

Résidu de combustion (base sulfate), ppm

Inférieur ou égal à 3

Gallium (Ga), ppt

Inférieur ou égal à 100

chlore disponible libre (Cl), ppb

Inférieur ou égal à 100

Germanium (Ge), ppt

Inférieur ou égal à 100

Ammonium (NH₄), ppb

Inférieur ou égal à 100

Arsenic (As), ppt

Inférieur ou égal à 100

Sulfate (SO₄), ppb

Inférieur ou égal à 100

Stantium (Sr), ppt

Inférieur ou égal à 100

Sulfites (SO₂), ppb

Inférieur ou égal à 100

Zirconium (Zr), ppt

Inférieur ou égal à 100

Phosphate (PO₄), ppb

Inférieur ou égal à 100

Niobium (Nb), ppt

Inférieur ou égal à 100

Lithium (Li), ppt

Inférieur ou égal à 100

Molybdène (Mo), ppt

Inférieur ou égal à 100

Bérylium (Be), ppt

Inférieur ou égal à 100

Argent (Ag), ppt

Inférieur ou égal à 100

Bore (B), ppt

Inférieur ou égal à 100

Cadmium (Cd), ppt

Inférieur ou égal à 100

Sodium (Na), ppt

Inférieur ou égal à 100

Étain (Sn), ppt

Inférieur ou égal à 100

Magnésium (Mg), ppt

Inférieur ou égal à 100

Baryum (Ba), ppt

Inférieur ou égal à 100

Aluminium (Al), ppt

Inférieur ou égal à 100

Tantale (Ta), ppt

Inférieur ou égal à 100

Potassium (K), ppt

Inférieur ou égal à 100

Or (Au), ppt

Inférieur ou égal à 100

Calcium (Ca), ppt

Inférieur ou égal à 100

Thallium (Tl), ppt

Inférieur ou égal à 100

Titane (Ti), ppt

Inférieur ou égal à 100

Plomb (Pb), ppt

Inférieur ou égal à 100

Vanadium (V), ppt

Inférieur ou égal à 100

Bismuth (Bi), ppt

Inférieur ou égal à 100

Chrome (Cr), ppt

Inférieur ou égal à 100

Particules (supérieures ou égales à 0,2 μm), pcs/mL

Inférieur ou égal à 300

Manganèse (Mn), ppt

Inférieur ou égal à 100

Particules (supérieures ou égales à 0,3 μm), pcs/mL

Inférieur ou égal à 100

Fer (Fe), ppt

Inférieur ou égal à 100

Particules (supérieures ou égales à 0,5 μm), pcs/mL

Inférieur ou égal à 5

Cobalt (Co), ppt

Inférieur ou égal à 100

Fin du rapport

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