Identification du produit
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Article |
Spécification |
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Nom du produit |
Acide chlorhydrique G4 |
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Catégorie de produit |
Produits chimiques humides électroniques à semi-conducteurs |
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Nom chimique |
Acide chlorhydrique |
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Formule chimique |
HCl |
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N° CAS |
7647-01-0 |
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Poids moléculaire |
36.46 |
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Numéro ONU |
1789 |
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Grade |
SEMI G4 Ultra-Qualité électronique de haute pureté |
Présentation du produit
L'acide chlorhydrique G4 est un acide inorganique de haute-pureté spécialement purifié pour la fabrication de plaquettes semi-conductrices et la fabrication de microélectronique avancée. Produit via des processus d'ultra-purification, de filtration à faible-contamination et de remplissage-de salle blanche, ce produit contient des ions métalliques à très faible-trace, des impuretés anioniques et des micro-particules, entièrement conformes aux spécifications industrielles SEMI G4.
Il s'agit d'un produit chimique humide essentiel pour les processus front-end-de semi-conducteurs, éliminant efficacement les contaminants métalliques, les résidus ioniques et les impuretés d'oxyde sur les surfaces des plaquettes. Un contrôle strict des impuretés élimine les risques de micro-contamination, garantissant ainsi un rendement élevé et des performances stables pour les processus avancés de fabrication de puces.
Apparence:Liquide incolore, transparent et clair avec une légère odeur piquante
Spécifications techniques (norme SEMI G4)
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Article de test |
Spécification |
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Dosage HCl |
36,0 ~ 38,0 % en poids |
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Apparence |
Liquide transparent incolore et clair |
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Couleur (APHA) |
Inférieur ou égal à 10 |
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Densité à 20 degrés |
1,18 ~ 1,19 g/cm³ |
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Résidus d'évaporation |
Inférieur ou égal à 50 ppb |
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Métaux traces individuels (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr) |
Inférieur ou égal à 10 ppb chacun |
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Sulfate (SO₄²⁻) |
Inférieur ou égal à 50 ppb |
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Nitrate (NO₃⁻) |
Inférieur ou égal à 50 ppb |
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Chlore libre (Cl₂) |
Inférieur ou égal à 50 ppb |
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Phosphate (PO₄³⁻) |
Inférieur ou égal à 30 ppb |
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Particules supérieures ou égales à 0,2 μm |
Inférieur ou égal à 100 pcs/mL |
Note:Toutes les données de test sont basées sur un COA (Certificate of Analysis) spécifique au lot-.
Applications (procédé humide des semi-conducteurs)
Nettoyage de la surface des plaquettes :Élimine les ions métalliques résiduels, les contaminants inorganiques et les couches d'oxyde de surface sur les tranches de silicium, améliore la propreté de la surface des tranches pour les processus de gravure et de dépôt ultérieurs.
Gravure humide des semi-conducteurs :Utilisé pour la microgravure de précision-de matériaux à base de silicium-et de substrats semi-conducteurs composés avec un taux de gravure stable et un effet de traitement uniforme.
Préparation de la solution de processus :Formulez des solutions mixtes de nettoyage et de gravure pour le processus de nettoyage RCA, répondant aux exigences avancées de fabrication des semi-conducteurs frontaux-.
Processus avancé d’emballage et MEMS :Traitement de surface et élimination des impuretés pour les dispositifs MEMS, le conditionnement de puces et le traitement de composants microélectroniques.
Norme d'emballage et de remplissage
Type d'emballage :Fût scellé en PEHD de qualité-propre/bac propre IBC
Spécification commune :Petit fût de 25 kg/30 kg, fourre-tout IBC de 1 000 kg
Environnement de remplissage :Salle blanche de classe 1000, zéro contamination secondaire, introduction de particules et d'impuretés strictement contrôlées
Norme d'étanchéité :Emballage scellé professionnel-résistant aux acides, anti-volatilisation et anti-fuite
Stockage et durée de conservation
● Stocker dans un entrepôt chimique frais, sec, ventilé et dédié, bien fermé, à l'abri de la lumière directe du soleil, des températures élevées et des sources de chaleur.
● Isoler des substances alcalines, des oxydants et des produits chimiques organiques pour éviter les réactions chimiques et la contamination.
● Évitez strictement le placement ouvert à long terme-pour éviter la détérioration volatile et l'absorption des impuretés.
● Durée de conservation : 12 mois dans des conditions de stockage scellées standard
Précautions de manipulation et de sécurité
● L'acide chlorhydrique est corrosif et volatil. Les opérateurs doivent porter un EPI complet : des gants-résistants aux acides, des lunettes de protection contre les produits chimiques, un tablier résistant à la corrosion-et des vêtements de protection.
● Opérer dans un environnement ventilé ; éviter l'inhalation de gaz volatils et le contact direct avec la peau et les yeux.
● Opération de dilution : ajoutez lentement de l'acide dans l'eau, n'ajoutez jamais d'eau dans de l'acide chlorhydrique concentré pour éviter les éclaboussures et les blessures.
● En cas de contact ou de fuite, suivez les directives d'urgence de la FDS pour un nettoyage et une élimination en temps opportun.
● Pour connaître la classification complète des dangers, les règles de transport et les-mesures de premiers secours, reportez-vous au document FDS officiel.
Assurance qualité
Chaque lot d'acide chlorhydrique G4 est produit et inspecté conformément aux normes internationales SEMI G4. Chaque expédition est accompagnée d'un COA de lot officiel. Tous les processus de production, de purification et de remplissage adoptent un contrôle strict de la contamination en salle blanche-pour garantir une qualité de produit stable et constante pour les applications-de fabrication de semi-conducteurs haut de gamme.
Acide chlorhydrique Spécification
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Nom du produit |
Grade |
Masse moléculaire relative |
Formule moléculaire |
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Acide chlorhydrique |
Produits chimiques électroniques G4 |
36.46 |
HCl |
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Inspecter les éléments |
Caractéristiques |
Inspecter les éléments |
Caractéristiques |
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Apparence |
Solution aqueuse transparente et incolore de chlorure d'hydrogène |
Nickel (Ni), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Dosage (HCl), % |
36.0~38.0 |
Cuivrique (Cu), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Chromaticité, unités Hazen |
Inférieur ou égal à 10 |
Zinc (Zn), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Résidu de combustion (base sulfate), ppm |
Inférieur ou égal à 3 |
Gallium (Ga), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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chlore disponible libre (Cl), ppb |
Inférieur ou égal à 100 |
Germanium (Ge), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Ammonium (NH₄), ppb |
Inférieur ou égal à 100 |
Arsenic (As), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Sulfate (SO₄), ppb |
Inférieur ou égal à 100 |
Stantium (Sr), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Sulfites (SO₂), ppb |
Inférieur ou égal à 100 |
Zirconium (Zr), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Phosphate (PO₄), ppb |
Inférieur ou égal à 100 |
Niobium (Nb), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Lithium (Li), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Molybdène (Mo), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Bérylium (Be), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Argent (Ag), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Bore (B), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Cadmium (Cd), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Sodium (Na), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Étain (Sn), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Magnésium (Mg), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Baryum (Ba), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Aluminium (Al), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Tantale (Ta), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Potassium (K), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Or (Au), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Calcium (Ca), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Thallium (Tl), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Titane (Ti), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Plomb (Pb), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Vanadium (V), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Bismuth (Bi), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Chrome (Cr), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Particules (supérieures ou égales à 0,2 μm), pcs/mL |
Inférieur ou égal à 300 |
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Manganèse (Mn), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Particules (supérieures ou égales à 0,3 μm), pcs/mL |
Inférieur ou égal à 100 |
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Fer (Fe), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Particules (supérieures ou égales à 0,5 μm), pcs/mL |
Inférieur ou égal à 5 |
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Cobalt (Co), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Fin du rapport |
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