Acide sulfurique G4 de produits chimiques électroniques

Acide sulfurique G4 de produits chimiques électroniques

Produit chimique humide pour semi-conducteurs
Révision du document : 01 Date : 2026 09 02

Identification du produit

 

Article

Contenu

Nom du produit

Acide sulfurique G4

Catégorie

Produits chimiques électroniques humides à semi-conducteurs

Nom chimique

Acide sulfurique

Formule chimique

\\(\\boldsymbol{H_2SO_4}\\)

N° CAS

7664-93-9

Poids moléculaire

98.08

Norme de qualité

Catégorie SEMI-G4

 

Description du produit

 

4 L'acide sulfurique est un acide inorganique puissant d'ultra-haute pureté-, fabriqué pour la fabrication avancée de plaquettes semi-conductrices. Produit par des processus de purification spéciaux et de filtration ultra-fine, il contient des impuretés métalliques à très-faibles traces-et un niveau de particules contrôlé, conforme à la spécification SEMI G4. Il est largement utilisé pour le nettoyage des plaquettes, le décapage des photorésists, l'élimination des résidus organiques et le traitement de surface dans la fabrication de circuits intégrés, minimisant ainsi le risque de contamination pour les processus microélectroniques -critiques en termes de rendement.

 

Apparence:Liquide huileux incolore et clair, inodore.

 

Spécifications techniques (norme SEMI G4)

 

Article de test

Spécification

Dosage (\\(H_2SO_4\\))

96,0 ~ 98,0 % en poids

Apparence

Liquide huileux incolore et clair

Couleur (APHA)

Inférieur ou égal à 10

Densité à 20 degrés

1,83-1,85 g/cm³

Résidus d'évaporation

Inférieur ou égal à 100 ppb

Particules supérieures ou égales à 0,2 μm

Inférieur ou égal à 100 pcs/mL

Traces métalliques individuelles (Al, Fe, Cu, Na, K, Ca, Mg, Zn, Ni, Cr, etc.)

Inférieur ou égal à 10 ppb chacun

Chlorure (\\(Cl^-\\))

Inférieur ou égal à 100 ppb

Nitrate (\\(NO_3^-\\))

Inférieur ou égal à 200 ppb

Phosphate (\\(PO_4^{3-}\\))

Inférieur ou égal à 200 ppb

 

Applications

 

1. Nettoyage des plaquettes semi-conductrices, élimine les contaminants organiques, les résidus de particules et les impuretés métalliques.
2. Processus de décapage de la résine photosensible pour la fabrication de circuits intégrés.
3.Préparation de solutions chimiques mixtes humides-pour le processus frontal-de semi-conducteurs.
4. Traitement de surface pour les emballages avancés, les appareils MEMS.

 

Conditionnement

 

● Fût PEHD de 330 kg

● Bac IBC de 1 500 kg

● Réservoir conteneur ISO 20MT (en vrac)

 

Rempli dans un environnement de salle blanche-pour éviter toute contamination secondaire.

 

Stockage et durée de conservation-

 

● Stocker dans un entrepôt frais, sec et-bien ventilé, hermétiquement fermé, à l'abri de l'humidité, de la chaleur et des substances incompatibles.

● Évitez la lumière directe du soleil.

● Durée de conservation- : 12 mois dans les conditions de stockage recommandées.

 

Remarques sur la manipulation et la sécurité

 

● Matériau fortement corrosif. Portez un EPI-résistant aux acides (lunettes, gants résistants aux acides-, tablier) pendant le fonctionnement.

● Ajoutez toujours l'acide lentement dans l'eau ; ne jamais verser d'eau dans de l'acide sulfurique concentré (forte réaction exothermique).

● Reportez-vous à la FDS correspondante pour obtenir des informations complètes sur les dangers, les premiers secours, la manipulation des déversements et les conseils de transport.

 

Assurance qualité

 

Chaque livraison doit être accompagnée d'un certificat d'analyse (COA) spécifique au lot. Toutes les procédures de production et de remplissage suivent le contrôle de la salle blanche-pour répondre aux exigences de contamination SEMI G4.

 

Certificat d'analyse

 

Nom du produit

Grade

Masse moléculaire relative

Formule moléculaire

Acide sulfurique

Produits chimiques électroniques G4

98.07

H2DONC4

 

Inspecter les éléments

Caractéristiques

Inspecter les éléments

Caractéristiques

Apparence

Liquide transparent incolore

Nickel (Ni), ppt

Inférieur ou égal à 100

Dosage (H2​SO4​), %

Supérieur ou égal à 96,0

Cuivrique (Cu), ppt

Inférieur ou égal à 100

Chromaticité, unités Hazen

Inférieur ou égal à 10

Zinc (Zn), ppt

Inférieur ou égal à 100

Résidu de combustion (sulfuré), ppm

Inférieur ou égal à 2

Gallium (Ga), ppt

Inférieur ou égal à 100

Chlorure (Cl), ppb

Inférieur ou égal à 50

Germanium (Ge), ppt

Inférieur ou égal à 100

Nitrate (NO3​), ppb

Inférieur ou égal à 50

Arsenic (As), ppt

Inférieur ou égal à 100

Sel d'ammonium (NH4​), ppb

Inférieur ou égal à 100

Strontium (Sr), ppt

Inférieur ou égal à 100

Substance réduite en permanganate de potassium (asSO2​), ppm

Inférieur ou égal à 2

Zirconium (Zr), ppt

Inférieur ou égal à 100

Lithium (Li), ppt

Inférieur ou égal à 100

Niobium (Nb), ppt

Inférieur ou égal à 100

Béryllium (Be), ppt

Inférieur ou égal à 100

Molybdène (Mo), ppt

Inférieur ou égal à 100

Bore (B), ppt

Inférieur ou égal à 100

Argent (Ag), ppt

Inférieur ou égal à 100

Sodium (Na), ppt

Inférieur ou égal à 100

Cadmium (Cd), ppt

Inférieur ou égal à 100

Magnésium (Mg), ppt

Inférieur ou égal à 100

Étain (Sn), ppt

Inférieur ou égal à 100

Aluminium (Al), ppt

Inférieur ou égal à 100

Baryum (Ba), ppt

Inférieur ou égal à 100

Potassium (K), ppt

Inférieur ou égal à 100

Tantale (Ta), ppt

Inférieur ou égal à 100

Calcium (Ca), ppt

Inférieur ou égal à 100

Or (Au), ppt

Inférieur ou égal à 100

Titane (Ti), ppt

Inférieur ou égal à 100

Thallium (Tl), ppt

Inférieur ou égal à 100

Vanadium (V), ppt

Inférieur ou égal à 100

Plomb (Pb), ppt

Inférieur ou égal à 100

Chrome (Cr), ppt

Inférieur ou égal à 100

Bismuth (Bi), ppt

Inférieur ou égal à 100

Manganèse (Mn), ppt

Inférieur ou égal à 100

Particules (supérieures ou égales à 0,2 μm), nombre/mL

Inférieur ou égal à 300

Fer (Fe), ppt

Inférieur ou égal à 100

Particules (supérieures ou égales à 0,3 μm), nombre/mL

Inférieur ou égal à 100

Cobalt (Co), ppt

Inférieur ou égal à 100

Particules (supérieures ou égales à 0,5 μm), nombre/mL

Inférieur ou égal à 5

 

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