Identification du produit
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Article |
Contenu |
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Nom du produit |
Acide sulfurique G4 |
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Catégorie |
Produits chimiques électroniques humides à semi-conducteurs |
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Nom chimique |
Acide sulfurique |
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Formule chimique |
\\(\\boldsymbol{H_2SO_4}\\) |
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N° CAS |
7664-93-9 |
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Poids moléculaire |
98.08 |
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Norme de qualité |
Catégorie SEMI-G4 |
Description du produit
4 L'acide sulfurique est un acide inorganique puissant d'ultra-haute pureté-, fabriqué pour la fabrication avancée de plaquettes semi-conductrices. Produit par des processus de purification spéciaux et de filtration ultra-fine, il contient des impuretés métalliques à très-faibles traces-et un niveau de particules contrôlé, conforme à la spécification SEMI G4. Il est largement utilisé pour le nettoyage des plaquettes, le décapage des photorésists, l'élimination des résidus organiques et le traitement de surface dans la fabrication de circuits intégrés, minimisant ainsi le risque de contamination pour les processus microélectroniques -critiques en termes de rendement.
Apparence:Liquide huileux incolore et clair, inodore.
Spécifications techniques (norme SEMI G4)
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Article de test |
Spécification |
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Dosage (\\(H_2SO_4\\)) |
96,0 ~ 98,0 % en poids |
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Apparence |
Liquide huileux incolore et clair |
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Couleur (APHA) |
Inférieur ou égal à 10 |
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Densité à 20 degrés |
1,83-1,85 g/cm³ |
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Résidus d'évaporation |
Inférieur ou égal à 100 ppb |
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Particules supérieures ou égales à 0,2 μm |
Inférieur ou égal à 100 pcs/mL |
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Traces métalliques individuelles (Al, Fe, Cu, Na, K, Ca, Mg, Zn, Ni, Cr, etc.) |
Inférieur ou égal à 10 ppb chacun |
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Chlorure (\\(Cl^-\\)) |
Inférieur ou égal à 100 ppb |
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Nitrate (\\(NO_3^-\\)) |
Inférieur ou égal à 200 ppb |
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Phosphate (\\(PO_4^{3-}\\)) |
Inférieur ou égal à 200 ppb |
Applications
1. Nettoyage des plaquettes semi-conductrices, élimine les contaminants organiques, les résidus de particules et les impuretés métalliques.
2. Processus de décapage de la résine photosensible pour la fabrication de circuits intégrés.
3.Préparation de solutions chimiques mixtes humides-pour le processus frontal-de semi-conducteurs.
4. Traitement de surface pour les emballages avancés, les appareils MEMS.
Conditionnement
● Fût PEHD de 330 kg
● Bac IBC de 1 500 kg
● Réservoir conteneur ISO 20MT (en vrac)
Rempli dans un environnement de salle blanche-pour éviter toute contamination secondaire.
Stockage et durée de conservation-
● Stocker dans un entrepôt frais, sec et-bien ventilé, hermétiquement fermé, à l'abri de l'humidité, de la chaleur et des substances incompatibles.
● Évitez la lumière directe du soleil.
● Durée de conservation- : 12 mois dans les conditions de stockage recommandées.
Remarques sur la manipulation et la sécurité
● Matériau fortement corrosif. Portez un EPI-résistant aux acides (lunettes, gants résistants aux acides-, tablier) pendant le fonctionnement.
● Ajoutez toujours l'acide lentement dans l'eau ; ne jamais verser d'eau dans de l'acide sulfurique concentré (forte réaction exothermique).
● Reportez-vous à la FDS correspondante pour obtenir des informations complètes sur les dangers, les premiers secours, la manipulation des déversements et les conseils de transport.
Assurance qualité
Chaque livraison doit être accompagnée d'un certificat d'analyse (COA) spécifique au lot. Toutes les procédures de production et de remplissage suivent le contrôle de la salle blanche-pour répondre aux exigences de contamination SEMI G4.
Certificat d'analyse
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Nom du produit |
Grade |
Masse moléculaire relative |
Formule moléculaire |
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Acide sulfurique |
Produits chimiques électroniques G4 |
98.07 |
H2DONC4 |
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Inspecter les éléments |
Caractéristiques |
Inspecter les éléments |
Caractéristiques |
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Apparence |
Liquide transparent incolore |
Nickel (Ni), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Dosage (H2SO4), % |
Supérieur ou égal à 96,0 |
Cuivrique (Cu), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Chromaticité, unités Hazen |
Inférieur ou égal à 10 |
Zinc (Zn), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Résidu de combustion (sulfuré), ppm |
Inférieur ou égal à 2 |
Gallium (Ga), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Chlorure (Cl), ppb |
Inférieur ou égal à 50 |
Germanium (Ge), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Nitrate (NO3), ppb |
Inférieur ou égal à 50 |
Arsenic (As), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Sel d'ammonium (NH4), ppb |
Inférieur ou égal à 100 |
Strontium (Sr), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Substance réduite en permanganate de potassium (asSO2), ppm |
Inférieur ou égal à 2 |
Zirconium (Zr), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Lithium (Li), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Niobium (Nb), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Béryllium (Be), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Molybdène (Mo), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Bore (B), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Argent (Ag), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Sodium (Na), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Cadmium (Cd), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Magnésium (Mg), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Étain (Sn), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Aluminium (Al), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Baryum (Ba), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Potassium (K), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Tantale (Ta), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Calcium (Ca), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Or (Au), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Titane (Ti), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Thallium (Tl), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Vanadium (V), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Plomb (Pb), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Chrome (Cr), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Bismuth (Bi), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
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Manganèse (Mn), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Particules (supérieures ou égales à 0,2 μm), nombre/mL |
Inférieur ou égal à 300 |
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Fer (Fe), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Particules (supérieures ou égales à 0,3 μm), nombre/mL |
Inférieur ou égal à 100 |
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Cobalt (Co), ppt |
Inférieur ou égal à 100 |
Particules (supérieures ou égales à 0,5 μm), nombre/mL |
Inférieur ou égal à 5 |
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